Про "ламповый" и "каменный" звук. ТАКОЕ есть?

[Сергей Шабад]

Сообщение от математик

Попробую "оживить" топик - Про "ламповый" и "каменный" звук. ТАКОЕ есть?
выдвижением нескольких тезисов для плодотворной дискуссии :
1. Да, такое есть.
2. Использование транзисторной схемотехники требует на порядок большей внимательности и больших ухищрений для получения сравнимого с ламповой качественного звука.
3. Биполярные Транзисторы (bjt), являясь приборами с практически неустранимой внутренней ПОС возможно способны в соответствующих схемных решениях существенно поднять субъективный уровень воспроизведения. (если верно то, что ООС-плохо, а ПОС-хорошо).

Тема хорошая.
Сразу вопрос: точно ли в биполярных транзисторах есть ПОС?

[математик]

При включении bjt по схеме Заземленного Эмиттера для коэффициента усиления получаем Ку=Rн/rэ , где Rн - сопротивление нагрузки, включенное в коллектор, rэ - внутреннее сопротивление эмиттера. Но rэ зависит от протекающего тока примерно как rэ=25/iэ, где iэ - ток эмиттера в ма. Получается, при увеличении напряжения на базе ток эмиттера увеличивается, сопротивление эмиттера уменьшается, коэффициент усиления увеличивается. Вот такая своеобразная ПОС получается.

[Сергей Шабад]

Сообщение от математик

При включении bjt по схеме Заземленного Эмиттера для коэффициента усиления получаем Ку=Rн/rэ , где Rн - сопротивление нагрузки, включенное в коллектор, rэ - внутреннее сопротивление эмиттера. Но rэ зависит от протекающего тока примерно как rэ=25/iэ, где iэ - ток эмиттера в ма. Получается, при увеличении напряжения на базе ток эмиттера увеличивается, сопротивление эмиттера уменьшается, коэффициент усиления увеличивается. Вот такая своеобразная ПОС получается.

И все же, это Ваше идея или это общепринятое мнение?
Честно говоря, впервые слышу о ПОС в биполярах. Но если она и есть, и если она даже "своеобразная", все-таки она не может компенсировать принципиально присущую транзисторам ООС и тепловую ООС. Кстати тепловая ООС в еще большей степени присуща микросхемам.
И все же внутренняя ООС (особенно тепловая, которой на малых сигналах можно пренебречь) не единственная причина разницы в звучании между камнями и вакуумом. Мне известны, как минимум еще две причины, которые и определяют в основном эту разницу...

[Малиновский Александр]

Сообщение от Сергей Шабад

И все же, это Ваше идея или это общепринятое мнение?
Честно говоря, впервые слышу о ПОС в биполярах. Но если она и есть, и если она даже "своеобразная", все-таки она не может компенсировать принципиально присущую транзисторам ООС и тепловую ООС. Кстати тепловая ООС в еще большей степени присуща микросхемам.
И все же внутренняя ООС (особенно тепловая, которой на малых сигналах можно пренебречь) не единственная причина разницы в звучании между камнями и вакуумом. Мне известны, как минимум еще две причины, которые и определяют в основном эту разницу...

Сергей, Вы правы. А математик опять вносит путаницу, обозначив тепловую ООС термином ПОС.

Внутреннее сопротивление эмиттера в соответствии с уравнением Эберса—Молла можно определить по формуле
rэ=фт/iэ (ф это - фи. см. ниже)
где - φт — тепловой потенциал, который при температуре 25°С равен 25 мВ; iэ — ток эмиттера.

[математик]

Сообщение от Сергей Шабад

И все же, это Ваше идея или это общепринятое мнение?

- за Всех таки не скажу, но те, кто учились по The Art of Electronics by PaulHoroitz & Winfield Hill -
Cambridge University Press - это знают (если не забыли).

Сообщение от Сергей Шабад

Мне известны, как минимум еще две причины, которые и определяют в основном эту разницу...

- Сильно интересно, расскажите, плз., если не секрет

[математик]

Сообщение от Малиновский Александр

Сергей, Вы правы. А математик опять вносит путаницу, обозначив тепловую ООС термином ПОС.

- Внимательно читаем мое сообщение : коэффициент усиления - формула правильная? - Ку=Rн/rэ , где Rн - сопротивление нагрузки, включенное в коллектор, rэ - внутреннее сопротивление эмиттера. Но rэ зависит от протекающего тока примерно как - это то же что и у Вас и Во всех учебниках - rэ=25/iэ, где iэ - ток эмиттера в ма. Получается, при увеличении напряжения на базе ток эмиттера увеличивается, сопротивление эмиттера уменьшается, коэффициент усиления увеличивается. Вот такая своеобразная ПОС получается. Понятно, что такая ПОС больше характерна для включения транзистора, так как Rн нет у транзистора внутри. Тем не менее это ПОС, причем не очень хорошая - она зависит от уровня сигнала. Сейчас мы наблюдаем, как в спорах рождается истина - я думаю, идея Сергея о компенсации этой ПОС тепловой ООС или наоборот - имеет право на жизнь - попробую просимулировать и ознакомить СООБЩЕСТВО.

Очевидно, в малосигнальных каскадах, где тепловыми искажениями МОЖНО ПРЕНЕБРЕЧЬ - остается только указанная ПОС - если транзистор работает на Rн, а не на источник тока, к примеру.

[Сергей Шабад]

Сообщение от математик

- за Всех таки не скажу, но те, кто учились по The Art of Electronics by PaulHoroitz & Winfield Hill -
Cambridge University Press - это знают (если не забыли).

Красиво. Особенно вот это: The Art - люблю искусство...
Надеюсь Вы по оригиналу учились? Какого года изданьице? В двух ли томах?

- Сильно интересно, расскажите, плз., если не секрет

О!
Вам таки на гхусском или на идиш пегхейдем?

[Малиновский Александр]

Сообщение от математик

- Внимательно читаем мое сообщение : коэффициент усиления - формула правильная? - Ку=Rн/rэ , где Rн - сопротивление нагрузки, включенное в коллектор, rэ - внутреннее сопротивление эмиттера. Но rэ зависит от протекающего тока примерно как - это то же что и у Вас и Во всех учебниках - rэ=25/iэ, где iэ - ток эмиттера в ма. Получается, при увеличении напряжения на базе ток эмиттера увеличивается, сопротивление эмиттера уменьшается, коэффициент усиления увеличивается. Вот такая своеобразная ПОС получается. Понятно, что такая ПОС больше характерна для включения транзистора, так как Rн нет у транзистора внутри. Тем не менее это ПОС, причем не очень хорошая - она зависит от уровня сигнала. Сейчас мы наблюдаем, как в спорах рождается истина - я думаю, идея Сергея о компенсации этой ПОС тепловой ООС или наоборот - имеет право на жизнь - попробую просимулировать и ознакомить СООБЩЕСТВО.

Очевидно, в малосигнальных каскадах, где тепловыми искажениями МОЖНО ПРЕНЕБРЕЧЬ - остается только указанная ПОС - если транзистор работает на Rн, а не на источник тока, к примеру.

Вот что по поводу ПОС пишет П. Шкритек:

Откуда взялась эта формула: Ку=Rн/rэ? Если из этой:
путём деления числителя и знаменателя на Iк - ток коллектора, то это не верно, т.к. существует ещё компонента Iб - ток базы.
По-моему это уже вторая неудачная попытка изобрести велосипед.
P.S. Хотелось бы увидеть номера страниц, в книге указанной Вами, с текстом подтверждающим Ваш умозаключения.

[математик]

Сообщение от Сергей Шабад

О! Вам таки на гхусском или на идиш пегхейдем?

Эх, нет Романа здесь... На пацакском, естественно, как все чатлане говорят...
P.S. а интерес остался...

[математик]

Сообщение от Малиновский Александр

Откуда взялась эта формула: Ку=Rн/rэ? Если из этой:Вложение 9534
путём деления числителя и знаменателя на Iк - ток коллектора, то это не верно, т.к. существует ещё компонента Iб - ток базы.

Так, Шкритек у меня далеко засунут, поэтому по Вашей картинке :
v=-gm*Rl где gm - крутизна, а Rl - нагрузка. Ну так крутизна же зависит от тока эмиттера - чем больше ток эмиттера тем больше крутизна, вот Вам и ПОС получается